HFA3101BZ(Renesas / Intersil)射频(RF)双极晶体管

型号：HFA3101BZ，品牌厂商：Renesas / Intersil，射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W

HFA3101BZ（Renesas / Intersil）参考图片：

HFA3101BZ(Renesas / Intersil)规格

制造商:Renesas Electronics

产品种类:射频(RF)双极晶体管

系列:HFA3101

晶体管类型:Bipolar

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:40

集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5.5 V

集电极连续电流:0.03 A

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

配置:Hex

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

封装:Tube

集电极—基极电压 VCBO:12 V

直流电流增益 hFE 最大值:40 at 10 mA at 3 V

高度:1.5 mm (Max)

长度:5 mm (Max)

工作频率:10000 MHz (Typ)

类型:RF Bipolar Small Signal

宽度:4 mm (Max)

商标:Renesas / Intersil

增益带宽产品fT:10000 MHz (Typ)

最大直流电集电极电流:0.03 A

产品类型:RF Bipolar Transistors



单位重量:72 mg

CNHTS: 8542319000

CAHTS: 8542330000

USHTS: 8542330001

JPHTS: 8542330996

KRHTS: 8532331000

MXHTS: 85423301

ECCN: EAR99